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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	表面安装	引脚数	材料	终端数量	晶体管元件材料														Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																													包装	JESD-609代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	子类别	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	参考标准	JESD-30代码	资历状况	配置
JANS DATA-JANSR2N7485U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	80@12V	3	SMD	SMD-0.5	No Lead						不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	130	±20	20	48(Max)@12V	970@25V	75000	40(Max)	100(Max)	35(Max)	20(Max)	-55	150	Military	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)			活跃									3				Single										N
JANTXVR2N7481U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	22	750000						无	无	100				活跃																							N
IRHNJ67230	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	130@12V	3	SMD	SMD-0.5	No Lead						不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	16	42(Max)@12V	1450@25V	75000	10(Max)	32(Max)	41(Max)	18(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)			活跃									3				Single										N
JANS DATA-JANSF2N7549T1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	103@12V	180(Max)@12V	7170@25V	208000	120(Max)	100(Max)	100(Max)	35(Max)	-55	150	Military						无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	-55 to 150	30			活跃													Single										P
JANSR2N7380U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	SMD-0.5						EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	14.4	200@12V	40(Max)@12V	960@25V		75000	30(Max)	75(Max)	70(Max)	35(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3			活跃									3				Single										N
JANSR2N7520T3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	87@12V				不合规	无	无	Enhancement	1	60	20	750000	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA					活跃									3				Single										P
2N7389JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	350@12V						不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	6.5	45(Max)@12V	1200@25V	25000	70(Max)	50(Max)	70(Max)	30(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔			活跃									3				Single										P				9.22(Max)
JANSR2N7583U2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON			供应商未确认	出口接触方式	8541.29.00.95	200	56	250000	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3		CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-55 °C	150 °C	JANSR2N7583U2	200 ns	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	150 ns	5.76	56 A			活跃					BOTTOM	无铅		compliant	3	MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)	R-CBCC-N3	Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL		56 A	0.028 Ω	224 A	200 V	N	268 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	250 W
ZXMP3A13FTC	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	1.6	6.4@10V\|3.8@5V	210@10V	6.4	206@15V	806	7.6	3	11.1	1.5	-55	150	Gull-wing	SOT-23	SOT	3	3.04(Max)	1.4(Max)	1.02(Max)	表面贴装	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	40	有	ZXMP3A13FTC	RECTANGULAR	Zetex / Diodes Inc	1	Transferred	ZETEX PLC	5.13	1.4 A			Compliant	EAR99	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	30	±20	卷带	e3	活跃	EAR99	Matte Tin (Sn)	低阈值		DUAL	鸥翼	260	compliant	3		R-PDSO-G3	不合格	Single	增强型MOSFET		SWITCHING	P-CHANNEL			0.21 Ω		30 V	P		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JANSR2N7498T2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	240@12V	出口接触方式	不合规						47(Max)@12V	1014@25V	25000	40(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	Military	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔	6.7	±20	200	1	Enhancement	功率MOSFET	无	无	8541.29.00.95			活跃									3				Single										N				9.22(Max)
2N7431JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	21@12V	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔						不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	35	270(Max)@12V	4900@25V	250000	100(Max)	120(Max)	120(Max)	27(Max)	-55	150	Military	通孔			活跃									3				Single										N
JANSR2N7480U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	30@12V	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	Military	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	JANSR2N7480U3	RECTANGULAR	Defense Supply Center Columbus	1	活跃	DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS	5.39	22 A			不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	22	45(Max)@12V	1152@25V	75000	30(Max)			活跃	EAR99				BOTTOM	无铅		unknown	3	MIL-19500/703	R-CBCC-N3	Qualified	Single	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL			0.03 Ω	88 A	60 V	N	100 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRHYS67234CM	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	220@12V	无	8541.29.00.95						不合规	出口接触方式	TO-257AA	Tab	3	10.66(Max)	5.08(Max)	10.92(Max)	通孔	150	-55	19	36	27	20	75000	1420@25V	40@12V	12	±20	250	1	Enhancement	功率MOSFET	无			活跃									3				Single										N
IRLU2905HR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	Si	27@10V	1	55	±16	42	48(Max)@5V	1700@25V	110000	15	84	26	11	-55	175	8541290080	Non-Compliant				EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	Tube		Obsolete													Single										N
IRHY57234CMSE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	410@12V	9.6	±20						不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	250	TO-257AA	Tab	3	10.66(Max)	5.08(Max)	10.92(Max)	通孔	150	-55	25(Max)	35(Max)	100(Max)	30(Max)	75000	1016@25V	32(Max)@12V			活跃									3				Single										N
JANSR2N7616UBC	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	4	UB						不合规	出口接触方式	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±10	0.8	3.6(Max)@4.5V	166@25V	600	13(Max)	24(Max)	30(Max)	8(Max)	-55	150	Military	表面贴装	1.75(Max)	2.74(Max)	3.25(Max)			活跃									4				Single										N
IRHNJ67134	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	88@12V	75000	25(Max)	30(Max)	35(Max)	20(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	No Lead	SMD-0.5	SMD	3	7.64(Max)	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHNJ67134	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.21	19 A			不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	150	±20	19	50(Max)@12V	1570@25V		e0	活跃	EAR99	锡铅		FET 通用电源	BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3		R-CBCC-N3	不合格	Single	增强型MOSFET		SWITCHING	N-CHANNEL		19 A	0.088 Ω	76 A	150 V	N	60 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W
JANSR2N7425_CDDATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	75@12V	190(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔						35	100	25	5	±20	100	1	Enhancement	HEXFET	功率MOSFET	无	无	EAR99	不合规	290(Max)@12V	6000@25V	250000	190(Max)	170(Max)			活跃									3				Single										P
IRHM7450SESCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	±20	4.5	12	570@12V	100	50	140(Max)@12V	2800@25V	151000	60(Max)	60(Max)	75(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT	METAL	IRHM7450SESCS	SQUARE	Infineon Technologies AG	1	12 A	5.65	INFINEON TECHNOLOGIES AG	活跃			不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	500			活跃					SINGLE	PIN/PEG		compliant	3		S-MSFM-P3		Single	增强型MOSFET		SWITCHING	N-CHANNEL	TO-254AA		0.57 Ω	48 A	500 V	N	500 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRHNJ67230SCS DATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	130@12V	SMD-0.5	No Lead						不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	16	42(Max)@12V	1450@25V	75000	10(Max)	32(Max)	41(Max)	18(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD			活跃									3				Single										N
IRHNJ67230SCS_CDDATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	130@12V	SMD-0.5	No Lead						不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	16	42(Max)@12V	1450@25V	75000	10(Max)	32(Max)	41(Max)	18(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD			活跃									3				Single										N
IRHLUC7670Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]@P Channel\|[email protected]@N Channel	LCC	No Lead						不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	60	±10	0.65@P Channel\|0.89@N Channel	[email protected]	147@25V@P Channel\|145@25V@N Channel	1000	12(Max)@N Channel\|26(Max)@P Channel	15(Max)@N Channel\|22(Max)@P Channel	30(Max)@N Channel\|32(Max)@P Channel	8(Max)@N Channel\|23(Max)@P Channel	-55	150	表面贴装	2.03(Max)	4.32(Max)	6.22(Max)	6	LCC			活跃									6				Dual										N\|P
IRHYS67130CMSCSB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA		,	IRHYS67130CMSCSB	Infineon Technologies AG	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.65						供应商未确认	无	无	100	20	750000	通孔	10.92(Max)			活跃								compliant	3														N
IRHYS67230CMSCS DATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	130@12V	EAR99	不合规						TO-257	TO-257	Tab	3	10.66(Max)	5.08(Max)	10.67(Max)	通孔	150	-55	15(Max)	35(Max)	40(Max)	15(Max)	75000	1660@25V	42(Max)@12V	16	±20	200	1	Enhancement	功率MOSFET	无	无			活跃									3				Single										N
IRHN7250SESCS_CDDATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			不合规	200	1500000	表面贴装	3.07(Max)	16(Max)	11.55(Max)	3	SMD-1							活跃									3														N